EFEITO DA OXIDAÇÃO SUPERFICIAL EM DETETORES TIPO Si(Li)

EFEITO DA OXIDAÇÃO SUPERFICIAL EM DETECTORES TIPO Si(Li)
Paschoal Rizzo Wilma Machado Soares Santos Eduardo Bessa Filho
UFRJ

http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxi/programa/res0007.pdf

Detectores de radiacao de alta qualidade devem apresentar a regiao depletada no interior do cristal livre de centros de
cargas e as superfcies da pastilha devem estar protegidas de variacoes ambientais que podem produzir altas correntes
de fuga superciais􀀀 Protecoes superciais de detectores de silcio tem sido realizadas pela formacao de SiO a altas
temperaturas
Em detectores de Si Li
devido a redistribuicao dos ons de ltio acima de oC nao e possvel produzir a formacao de
SiO nestas temperaturas entretanto o oxido se forma naturalmente na superfcie do cristal
a temperatura ambiente A
camada de oxido e produzida sem uniformidade e com defeitos estruturais que sao responsaveis pela presenca de cargas
positivas xas Tais cargas induzem uma camada na de eletrons na interface SiSiO aumentando o campo eletrico
proximo
a juncao p e produzindo elevacao de corrente reversa do detector e deterioracao de sua resolucao em energia
Neste trabalho apresentamos metodos empregados para a protecao das superfcies de detectores Si Li
que visam a
remocao de camada de oxido e a passivacao supercial com hidrogenio O uso destes metodos produziu em um detector
Si Li
correntes de fuga da ordem de nA e resolucao de  eV para a linha CsK􀀀 do raios X de energia de  keV
do 􀀀Cs
 P Rizzo and W M S Santos Proceedings of the III WONP 
 
 Walton J T Nucl Instr and Math